[ВХОД]

Главная | Содержание | Форум | Файлы | Поиск | Контакт
NAVIG
О форуме
Резонансные генераторы
Магнитные генераторы
Механические центробежные (вихревые) генераторы
Торсионные генераторы
Электростатические генераторы
Водородные генераторы
Ветро- и гидро- и солнечные генераторы
Струйные технологии
Торнадо и смерчи
Экономия топлива
Транспорт
Гравитация и антигравитация
Оружие
Нейтронная физика
Научные идеи, теории, предположения...
Прочие идеи (разные)
Новые технологии
Коммерческие вопросы
Барахолка
Патентный отдел
Сделай сам. Советы.
Конструкторское бюро
немобильная версия
Печатать страницу
Форум - Торсионные генераторы - Прочие торсионные генераторы - Генераторы аксионного поля - от теории к практике - Стр.26
<][ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 ][>
Post:#151936 Date:28.12.2008 (02:58) ...
Здесь будут рассматриваться генераторы аксионного (спинового, торсионного) поля - их схемотехника , конструктивные особенности, рабочие частоты. Приветствуется желание участников форума поделиться новой (или хорошо забытой старой) информацией по данной теме, а также применение теорий Акимова,Шипова,Ленского,Сергеева и др. на практике.
sw1972 | Post: 200620 - Date: 18.09.09(13:28)
Rysak

О "звоне" на фронтах синусоидального напряжения. Я это тоже наблюдал.

Это может быть следствием приоткрывания закрытого транзистора.
Как известно, большинство полевиков имеют пороговое напряжение от 1,5В до 4В.
Однако, пороговым напряжением считают такое напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока будет иметь определённую величину, например пороговое напряжение для транзисторов 2N7000 и 2N7002(2N7000) определяют по величине тока стока 1мА. И все кривые зависимостей тока стока от напряжения между затвором и истоком начинаются именно с того самого "порогового напряжения".
А о том, как ведёт транзистор при токах стока менее 1 мА, не говорится.
Так, например, у транзистора 2N7002(2N7000) пороговое напряжение при нормальных условиях при токе стока 1 мА будет не менее 1 вольта.
У транзистора IRFD110 пороговое напряжение при нормальных условиях при токе стока 250 мкА будет в диапазоне от 2 до 4 вольт.


При нарастании напряжения между стоком и истоком закрытого напряжения, происходит перезаряд паразитных ёмкостей между стоком и истоком, а также между стоком и затвором.
При нарастании напряжения на сток-затворной ёмкости, через неё протекает ток: Iccз=Cсз*dUсз/dt. Для упрощения примем dUсз/dt=dUси/dt и будем считать, напряжение сток-исток в течение полупериода имеет синусоидальную форму.
Тогда можно примерно оценить величину тока, протекающего через сток-затворную ёмкость: Iccз=Cсз*dUси/dt=Cсз*Um*d(sin(omega*t))/dt=Cсз*Um*omega*cos(omega*t)=Imсз*cos(omega*t), где omega - резонансная круговая частота контура, Um=E*1,57 - амплитуда напряжения между средней точкой обмотки излучателя и крайним выводом обмотки излучателя, Imсз - амплитуда тока, протекающего через сток-затворную ёмкость.
Тоесть, имеем Imсз=Cсз*Um*omega.
В момент времени, когда транзистор закрылся, ток, протекающий через сток-затворную ёмкость, будет приблизительно равен величине Imсз.

Сопротивление открытого транзистора 2N7002(2N7000) Rси будет не менее 2,8 Ом, пороговое напряжение не менее 1В, а Cсз=15 пФ при напряжении сток-исток 1В(см. Fig.12 даташита).
Тогда найдём падение напряжения между стоком и истоком открытого 2N7002(2N7000) на частоте 4МГц(если не принимать во внимание наличие второго транзистора):
Ur=Imсз*Rси+Im*Rси=2*Cсз*Um*omega*Rси+Im*Rси=2*15e-12*14.4*2*%pi*4e+6*2.8+Im*Rси=0.0304В+Im*Rси=0.0304В+0,35*2,8=0,0304В+0,98В=1,0104В (Im выбрал равным 0,35А в качестве примера)
Нужно принять ещё во внимание тот факт, что напряжение между затвором и истоком при переключении транзисторов будет примерно равным пороговому напряжению, поэтому реальная величина Ur будет намного большей(на Fig.7 даташита показана зависимость сопротивления канала от тока стока и напряжения затвор-исток).
Отсюда следует вывод - следует попробовать подавать управляющее напряжение с дополнительных обмоток. Первоначальный вариант схемы - далеко не самы лучший.

Плату развёл, осталось мне её протравить, спаять и проверить, будет ли улучшение в работе схемы.

Удачи!

С уважением

ЗЫ
Советую не облучать себя продолжительное время, а лучше от этого воздержаться.

_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 05.10.09(20:54) - sw1972
Rysak | Post: 200672 - Date: 18.09.09(20:37)
SW1972.Здравствуйте сегодня подключил осцилограф и снял некоторые некоторые характеристики после нескольких минут работы.Батарейка почти умерла.
VL1=VL2=12v.Мерял осцилографом.
Vотражающего электрода=33.8v.Мерял китайским тестером.
Vпитания=4v.Мерял китайским тестером.
T=3.6мкс.Мерял осцилографом.
Завтра куплю новую батарейку и намотаю доп. обмотки.А вообще была же синусоида без искажений.Изменил лиш монтаж,перемотал излучатель проводом МГТФ,транзисторы

те же 2N7000.Плату почти развёл,завтра думаю быть пораньше дома, закончу.
А что если с КАЧЕРА подать напряжение на электроды 3и4.У него есть очень интересные эффекты.
Спасибо за помощь.

sw1972 | Post: 200677 - Date: 18.09.09(21:20)
Rysak Пост: 200672 От 18.Sep.2009 (21:37)
SW1972.Здравствуйте сегодня подключил осцилограф и снял некоторые некоторые характеристики после нескольких минут работы.Батарейка почти умерла.
VL1=VL2=12v.Мерял осцилографом.
Vотражающего электрода=33.8v.Мерял китайским тестером.
Vпитания=4v.Мерял китайским тестером.
T=3.6мкс.Мерял осцилографом.
Завтра куплю новую батарейку и намотаю доп. обмотки.А вообще была же синусоида без искажений.Изменил лиш монтаж,перемотал излучатель проводом МГТФ,транзисторы

те же 2N7000.Плату почти развёл,завтра думаю быть пораньше дома, закончу.
А что если с КАЧЕРА подать напряжение на электроды 3и4.У него есть очень интересные эффекты.
Спасибо за помощь.


Здравствуйте!
С качером скрещивать не стоит, уж очень разные аппараты по назначению и по конструкции. Тем более, у качера на выходе высокое напряжение, пробьёт, если нет защиты.
Проводом МГТФ тоже не стоит мотать, особенно при работе на частотах выше 100 кГц. Лучше взять обычный провод с лаковой изоляцией диаметром не более 0,2 мм или литцендрат, если сечения провода с диаметром 0,2 мм не достаточно.

Что касается дополнительных обмоток для управления полевиками.
1) Старайтесь соблюсти фазировку обмоток, как указано на схеме в сообщении 199817:[ссылка]
2) Требуется цепь запуска. Без начального толчка схема не заработает, так как останется в состоянии равновесия. Схему также можно запустить, если не сработала цепь запуска: для этого на доли секунды затвор одного из полевиков соединить с плюсовой клеммой батареи проволочной перемычкой, тогда схема заработает(проверял на других схемах).

Удачи!
С уважением

_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 18.09.09(21:42) - sw1972
Rysak | Post: 200679 - Date: 18.09.09(21:41)
SW1972.СПАСИБО.

sw1972 | Post: 200681 - Date: 18.09.09(21:54)
Начал переводить рисунок платы на заготовку. Отлаживать, скроее всего, начну на следующей неделе.

С уважением

_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 20.09.09(22:24) - sw1972
Rysak | Post: 201425 - Date: 23.09.09(23:15)
SW1972.Здравствуйте.Что-то я забуксовал.Скажите пожалуйста номинал С6 и какой может быть сигнал (V) на *MOD*.
С наилучшими пожеланиями.Юрий.

sw1972 | Post: 201432 - Date: 23.09.09(23:36)
Rysak Пост: 201425 От 24.Sep.2009 (00:15)
SW1972.Здравствуйте.Что-то я забуксовал.Скажите пожалуйста номинал С6 и какой может быть сигнал (V) на *MOD*.
С наилучшими пожеланиями.Юрий.

Здравствуйте, Юрий!
Сигнал модуляции - прямоугольные импульсы с нижним уровнем менее 0.5В и верхним уровнем от 4В и выше. На вход модуляции можно подавать сигнал с выхода КМОП-микросхем логики или с выхода микроконтроллера. Таким образом можно модулировать по частоте, но модуляция будет только лишь двухпозиционная - можно получить только две частоты: пониженную частоту при верхнем уровне сигнала модуляции (>4В) и повышенную частоту при нижнем уровне сигнала модуляции(<0,5В).
Для первого варианта схемы при нижнем уровне сигнала модуляции эквивалентная ёмкость контура C=4*(Cси+Cзи+Cсз+C4), а при верхнем уровне сигнала модуляции эквивалентная ёмкость контура C=4*(Cси+Cзи+Cсз+C4)+C6.
Рабочая частота F=omega/(2*pi)=1/(2*pi*sqrt(L*C)), где L - индуктивность одной части обмотки излучателя.

С какими именно трудностями Вы столкнулись?

С уважением
Виталий

_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 01.10.09(12:59) - sw1972
sw1972 | Post: 201623 - Date: 25.09.09(19:27)
Плату(для нового варианта схемы инвертора) протравил только-что. Завтра-послезавтра посмотрю, как работает устройство.

_________________
Хорошее - враг лучшего
Rysak | Post: 201824 - Date: 26.09.09(23:26)
SW1972.Я тоже сегодня днём вытравил.Но уменя две:одна-генератор,другая-выпрямитель для отражающего электрода.Завтра попробую собрать.
Раньше не мог распечатоть-зависала Shrint-Layot,как только пытался вывести плату на Печать.Пожаловался Ромке,он через Сеть скинул на свой комп ираспечатол.
Ребёнок собрался в армию,в этом году окончил ВУЗ 5 курсов с красным дипломом.Уйдёт- незнаю что я буду в таких случаях делать.30-областная.
С уважением Юрий.

sw1972 | Post: 201853 - Date: 27.09.09(12:23)
Rysak Пост: 201824 От 27.Sep.2009 (00:26)
SW1972.Я тоже сегодня днём вытравил.Но уменя две:одна-генератор,другая-выпрямитель для отражающего электрода.Завтра попробую собрать.
Раньше не мог распечатоть-зависала Shrint-Layot,как только пытался вывести плату на Печать.Пожаловался Ромке,он через Сеть скинул на свой комп ираспечатол.
Ребёнок собрался в армию,в этом году окончил ВУЗ 5 курсов с красным дипломом.Уйдёт- незнаю что я буду в таких случаях делать.30-областная.
С уважением Юрий.

Здравствуйте!
Поздравляю Вашего сына и Вас с успешным окончанием ВУЗа и желаю, чтобы в жизни всё время сопутствовала удача, были здоровы, счастливы и жили как можно дольше.

Плату протравил и полностью приготовил к пайке, сегодня начну паять схему инвертора.

С уважением
Виталий

_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 27.09.09(12:37) - sw1972
Rysak | Post: 201887 - Date: 27.09.09(20:59)
Спaсибо Виралий. Инвертор спаял днeм. Пишу телефоном с дачи-палец устал давить кнопки. Во вторник буду делать излучатель. Для этой схемы колечки будут поменьше. С уважением юрий.

sw1972 | Post: 202117 - Date: 29.09.09(21:09)
Большую часть элементов запаял на плате.

Перечень элементов схемы(со временем укажу перечень элементов схемы с которыми схема будет работать):
C1, C2 100нФ X7R 25В SMD размер 1206
C3 2,2 мкФ 50В SMD, производитель неизвестен
C4 270 пФ NP0 50В SMD размер 0805
C5 330 нФ X7R 25В SMD размер 0805
C6 пока на плату не устанавливал
C7 пока на плату не устанавливал
C8 пока на плату не устанавливал
C9-C12 4700 пФ X7R(или NP0) 50В SMD размер 0805
C13-C18 1500 пФ X7R(или NP0) 50В SMD размер 0805
C19-C22 4700 пФ X7R(или NP0) 50В SMD размер 0805

L1 ещё не припаян но инуктивность обмотки будет в 100 раз больше, чем индуктивность обмотки L2
L2 (излучатель) ещё не припаян; индуктивность обмотки будет около 0,59 мкГн, 3 витка на трёх склеенных друг с другом кольцах К7х4х2(имитация ферритовой трубки) с отн. магнитной проницаемостью 100

R1 1МОм +/- 5% 0,125 W SMD размер 0805
R2 на плату не устанавливал
R3 15кОм +/- 5% 0,125W SMD размер 0805 (сначала был 1кОм, пришлось заменить на 15кОм, иначе схема не запускается при медленном нарастании апряжения питания)
R4 на плату не устанавливал
R5 на плату не устанавливал
R6, R7 2,2 Ом +/- 5% 0,125W SMD размер 0805 (сначала были по 22 Ом, пришлось заменить из=за больших потерь при переключении)

VD1-VD12 LL4148
VT1.1, VT1.2 IRFD 110 оба будут устанавливаться в колодку DIP8
VT2 IRF7105 применён только p-канальный транзистор, второй транзистор n-типа не задействован(исток и затвор транзистора n-типа закорочены во избежание пробоя)

ZQ1 на плату не устанавливал
Размеры платы 45х30 мм(рисунок платы был расчитан на такие габариты, однако заготовка оказалась чуть чуть длиннее и шире, но обрезать её не стал, нет необходимости).

2.10.2009
Плата пока не доведена до работоспособного состояния, чтобы начать наладку, нужно припаять сглаживающий дроссель L1 и излучатель L2.
Работа продолжается.

11.10.2009
1) заменил R3: был 1 кОм, стал 15 кОм, должно помочь при малой скорости увеличения напряжения питания
2) заменил R6 и R7: были по 22 Ом, стали 2, 2 Ом, замена связана с длительным пребыванием полевых транзисторов в активном режиме, что вызывало повышенный ток потребления, превышавший 200 мА и вызывавший "просаживание" напряжения питания до 7,5 при питании от батареи "Крона".

С уважением

Плата инвертора без излучателя, сглаживающего дросселя и проводов подвода питания(вид сверху) Размер : 183.36 KB
Плата инвертора без излучателя, сглаживающего дросселя и проводов подвода питания(вид сверху)
Плата инвертора без излучателя, сглаживающего дросселя и проводов подвода питания(вид снизу) Размер : 149.89 KB
Плата инвертора без излучателя, сглаживающего дросселя и проводов подвода питания(вид снизу)
_________________
Хорошее - враг лучшего
- Правка 11.10.09(14:01) - sw1972
petruchio | Post: 202233 - Date: 30.09.09(11:12)
Уважаемые Господа аксионщики и торсионщики!
Разрешите внести ясность в фундаментальную первопричину создания и свойства аксионного (торсионного) поля.....
Ничего особенного в данном поле и соответствующем излучении нет, также нет ничего в нем волшебного и заколдованного, поверьте!
Немного вспомним классическую электродинамику... Имеется сфера, которая несет статический электрический заряд (который аналогинчен гравитационной массе тяготеющего шара) и в классике закон убывания как электросттаического так и гравиастатического поля совершенно одинаков! При вращении заряженной сферы вокруг неё образуется банальное магнитное поле, которое не меняет энергии движущегося в нем заряда, а только искривляет его траекторию. При вращении шара, имеющего массу, также образуется поле, которое имеет название -гравиамагнитного и обладает фактически аналогичными свойствами с магнитным, только при взаимодействии с массами! Есть еще у него несколько иных свойств, если вдаваться в СТО, поскольку гравитационное поле как бы является тензорным, а не скалярным как в электродинамики, но дает это очень маненькие эффекты.
Теперь о генерации гравиамагнитного (аксионного) излучения.... его можно получить при любом изменении направления вектора момента вращения гравитирующего тела (но возможно и более эффективно при когерентной смене направления спинов, электронов в вещенстве).
С уважением, Пётр!

_________________
Нам по барабану куды бежать, главное что бы флаг развивался!
sw1972 | Post: 202240 - Date: 30.09.09(11:35)
Пётр!
Интересует практическая сторона данного вопроса в том числе.
Отрабатываются технологии, чтобы другие также могли воспроизвести опыты. Компактность, простота схем и малый потребляемый схемой ток(может долгое время работать от батареи) тоже имеют значение.

С уважением
Виталий


_________________
Хорошее - враг лучшего
petruchio | Post: 202260 - Date: 30.09.09(13:25)
Виталий!
Я могу внести предложение создания относительно простого и в то же время реального устройства (вместо волшебных девайсов на непонятных физических принципах)...! Для этого достаточно использовать эффект электронного парамагнитного резонанса или ядерного магнитного резонанса в металлокристалах. То есть поместить металокристал (например метасиликатов), в постоянное магнитное поле, где произойдет расщепление уровней энергии внешних электронов на два! То есть состояние со спинов по полю и со спином противв поля... Теперь если подать переменное магнитное поле, совпадающее с резонансом частоты перехода электронов из 1-го состояния во 2-е, то как раз и будет происходить полное отражение спина (переход его в состояни противоположное изначальному) и тем самым генерация гравиамагнитного излучения (аксионного). Все подробности по данному эффекту можно прочитать по ссылкам[ссылка] [ссылка]
С уважением, Пётр!

_________________
Нам по барабану куды бежать, главное что бы флаг развивался!
<][ 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 ][>
У Вас нет прав отвечать в этой теме.
Форум - Торсионные генераторы - Прочие торсионные генераторы - Генераторы аксионного поля - от теории к практике - Стр 26

Главная | Содержание | Форум | Файлы | Поиск | Контакт